產(chǎn)品說明 規(guī)格參數(shù)

　　功能及優(yōu)點(diǎn)

　　休眠方式中的高阻抗輸出

　　兼容 2.5 至 3.5 V 電源

　　10有源模式中 mW 功率消耗

　　微型 MLP 封裝

　　與比例式電源參考電壓(VREF 引腳)成比例的輸出范圍

　　溫度穩(wěn)定的靜止輸出電壓和靈敏度

　　較寬的環(huán)境溫度范圍：–20°C 到 85°C

　　ESD 保護(hù)超過 3 kV

　　高可靠性

　　最后測試時(shí)預(yù)設(shè)靈敏度和偏移

　　描述

　　A139x系列線性霍爾效應(yīng)傳感器集成電路 (IC) 提供直接與所適用磁場成比例的電壓輸出。放大前，典型的霍爾效應(yīng) IC 的靈敏度(以 mV/G 為單位)與流經(jīng) IC 內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器元件的電流直接成比例。在許多應(yīng)用中，要使霍爾效應(yīng)傳感器 IC 獲得充分的靈敏度水平，如果不消耗3 mA以上的電流是很難實(shí)現(xiàn)的。A139x 通過添加用戶可選擇的休眠方式將電流消耗減少至不超過 25 µA。這就使這些器件更適合于電池供電型應(yīng)用，如：移動電話、數(shù)碼照相機(jī)和便攜式工具。最終用戶可以通過將邏輯電平信號施加于SLEEP引腳來控制A139x的電流消耗。器件輸出在休眠模式中是無效的(高阻抗模式)。高阻抗輸出功能允許多個(gè)A139x霍爾效應(yīng)器件與單個(gè)交流至直流轉(zhuǎn)換器輸入相連接。

　　根據(jù)標(biāo)稱設(shè)置，這些器件的靜止輸出電壓是施加到器件 VREF 引腳的比例式電源參考電壓的 50%。器件的輸出電壓與 SUPPLY 引腳的電壓不成比例。

　　盡管A139x中的電路具有低功率消耗，但高精度線性霍爾效應(yīng) IC 所要求的各項(xiàng)功能并未因此受到損害。每個(gè)器件都具有 BiCMOS 單片電路，該電路集成了已經(jīng)改進(jìn)的溫度補(bǔ)償霍爾效應(yīng)電路，以降低霍爾元件、小型信號高增益放大器和專有動態(tài)偏移取消電路所固有的靈敏度漂移。在下線時(shí)進(jìn)行的后封裝出廠編程可確保對器件靈敏度和偏移的精確控制。

　　這些器件采用 2.0 × 3.0 mm, 0.75 mm 標(biāo)稱高度微型引腳小型封裝 (MLP/DFN)。該封裝無鉛，引腳框采用 100% 霧錫電鍍。

　　型號：A1391SEHLT-T

　　品牌：ALLEGRO

　　電壓：2.5 V ~ 3.5 V

　　溫度：-20°C ~ 85°C

　　封裝：6-WFDFN